首页财产进步前辈制造正文 年夜模子内存焦急,措施被想到了U盘上 IEEE刊发新思绪,SanDisk及SK海力士鞭策HBF,将进步前辈封装用在NAND Flash,估计晋升读取带宽,或者减缓存储供给紧缺困局 2026-07-21 14:20 ·微信公家号:量子位 葛文婷 葛文婷 AI投资人解读· SanDisk及SK海力士推出的High Bandwidth Flash(HBF),经由过程重叠NAND Flash芯片晋升读取带宽,方针单个仓库容量最高可达512GB,读取带宽最高可达1.6TB/s。HBF合用在AI推理场景,可减缓HBM容量瓶颈,降低成本及能耗。 · HBF今朝还有不是成熟产物,间隔年夜范围部署可能还有需几年。行业竞争激烈,其他技能可能会对于HBF组成挑战。 总结:HBF技能为减缓存储供给紧张提供了新思绪,特别于AI推理场景具备潜力,但面对技能成熟度及市场竞争等危害,需连续存眷其成长动态。

不是,Flash不是很慢吗?SanDisk及SK海力士怎么拿它喂年夜模子了???

IEEE最新刊发了一条挺反知识的新思绪:年夜模子的内存焦急,可能要靠U盘里的同款技能来减缓了。

没错,就是NAND Flash。

于不少人的印象里,Flash最 年夜的特色是自制、容量年夜、断电还有不丢数据,但要说速率,特别是拿来驱动年夜模子推理,好像怎么都不像正经方案。

但此刻,SanDisk及SK海力士正于鞭策一种新工具:High Bandwidth Flash(高带宽闪存),简称HBF。

它的思绪很直接:把HBM(高带宽内存)那套进步前辈封装及芯片重叠的要领,搬到NAND Flash上。

换句话说,就是让原本卖力存工具的闪存,也能介入到AI推理的高速数据供应里。

按照SanDisk公然资料,HBF估计可以重叠至多16颗NAND Flash芯片,方针单个仓库容量最高可达512GB,方针读取带宽最高可达1.6TB/s。

后续第二代、第三代线路图里,读取带宽还有会进一步晋升到2TB/s及3.2TB/s。

这个数字虽然还有追不上顶 级HBM,但已经经不是传统闪存那种“慢悠悠存储”的状况了。

这一技能突围的暗地里,多是全世界存储行业亟待化解的供给紧缺困局。

就于头几天(北京时间7月11号),韩国存储巨头SK海力士的首席履行官郭鲁正曾经于美股纳斯达克首秀之日公然暗示,全世界存储行业估计将于2027年面对史上最严峻的供给欠缺,该言论迅速引爆本钱市场与财产舆论。

于此配景下,SK海力士联袂SanDisk推出HBF,也许恰是他们为了减缓存储供给紧张交出的一份技能答卷。

一路来看看吧。

0一、Flash不是很慢吗,怎么能给AI用?

问题来了,Flash不是出了名的写入慢吗?怎么忽然能给AI用?

半导体市场研究机构Objective Analysis总监Jim Handy于IEEE Spectrum采访中就提到,许多人第 一反映也是这个:这怎么说患上通?Flash明明慢患上离谱。

但要害于在,Flash慢,重要慢于写入。

NAND Flash经由过程浮栅晶体管里的电荷来存储数据,并按块及页举行构造。这类机制使其断电后仍能保留数据,无需像DRAM那样不停刷新,是以自然合适持久存储,兼具高密度与低成本的上风。

不外价钱就是,写入数据时,需要把电荷推进或者移出绝缘栅,这个历程比给电容充放电慢患上多。

以是于传统计较视角下,Flash很难及DRAM、HBM这种高速内存放于一个桌上会商。

但若只看读取,工作就纷歧样了。

按最新ONFI 6.0闪存接口尺度,单颗die理论带宽最高可以到4.8GB/s。

单看这个数字,确凿不算夸张。

但DDR5单条DIMM最高可到70.4GB/s,HBM4E单仓库更是能到3.6TB/s,及单颗NAND闪存芯片比拟约莫是750倍量级差距。

HBF要做的,就是经由过程3D封装及垂直重叠,把多个NAND Flash die打包到一路,显著提高总读取带宽。

SK海力士内存体系研究高级副总裁Hoshik Kim指出:“经由过程将进步前辈的3D封装及垂直重叠技能运用在NAND闪存,HBF可以或许实现远超尺度NVMe存储的带宽。”

正如HBM重叠DRAM芯片同样,HBF则经由过程重叠NAND闪存裸片,打造出高存储密度的芯片。

他们想做的,从来不是让单颗Flash忽然变快,而是经由过程重叠及封装,把读取通道堆出来。

0二、HBF不是要代替HBM,它找准了本身的定位

HBF真正成心思之处,不于在它要代替HBM。

而于在它找准了一个很合适Flash的场景:AI推理。

练习及推理,对于内存的要求其实不同样。

练习年夜模子时,体系要不停读取权重、计较偏差,再经由过程反向流传更新权重;

这个历程既要年夜量读,也要年夜量写,对于Flash很是不友爱;

由于Flash写入慢,写多了还有触及寿命及擦写治理问题。

但推理阶段就纷歧样了。

于这个阶段,模子已经经完成练习,权重基本冻结,年夜大都时辰,体系需要的是把这些重大的模子权重快速读出来,而不是频仍改写它们。

这正好落于Flash相对于擅长的一侧。

SK海力士内存体系研究高级副总裁Kim暗示:“于推理情况中,诸如静态的数十亿参数模子权重或者估计算的KV缓存(precomputed KV cache)等海量、读密集型数据,都可稳当地存放在HBF层级。”

如许一来,昂贵且容量有限的HBM就能被开释出来,专门充任高速暂存区。

这个架构有点像给AI加了一层“超年夜容量只读内存池”。

HBM继承卖力最紧迫、最频仍的高速计较数据互换。

HBF则卖力装下那些体量巨年夜、但不怎么改动的模子参数。

对于当下的年夜模子推理来讲,这个思绪颇有实际意义。

由于当前年夜模子推理所面对的困境早已经不止在算力欠缺,内存不敷、带宽不敷、能耗过高、部署成本太贵等多重压力正交叉叠加。

特别是于模子范围连续膨胀的年夜配景下,单卡显存容量不足与HBM成本昂扬正成为制约其成长的显著因素。

许多时辰,不是GPU算不动,而是模子装不下,或者者数据喂不外来。

而HBF假如能于容量、带宽及成本之间找到均衡,就可能让更年夜的模子以更低的成本跑起来。

0三、512GB一仓库,AI办事器或者可罕用几张卡

SanDisk给出的第 一代HBF方针参数,最高为512GB容量、1.6TB/s读取带宽。

这个组合很要害——HBM的上风是速率极快,但容量昂贵且有限;HBF虽然速率低一些,却能提供更年夜的容量及更低的单元成本。

这象征着,将来AI办事器于部署年夜模子推理时,可能纷歧定要把所有权重都塞进HBM。

一部门冷一点、静态一点、读多写少的数据,可以放于HBF里。

如许做的潜于收益有几个:

第 一,减缓HBM容量瓶颈。

第二,削减为了装下模子而堆更多加快卡的需求。

第三,降低推理体系总体成本及能耗。

Kim的判定是:HBF与HBM其实不是竞争敌手,而是互为增补的东西。

他指出:“HBF可以或许于不捐躯数据供应速率的条件下,有用减缓HBM面对的严重容量瓶颈,从而有望削减运行年夜范围模子所需的加快器数目。”

于此基础上,他估计该方案还有将晋升能效并降低成本,进而助力数据中央进一步扩大其AI推理硬件范围。

这也是HBF最值患上存眷的财产逻辑:它不是为了让Flash酿成HBM,而是让AI体系里的差别数据,待于更合适本身的位置里。

热数据继承放HBM;年夜容量、静态、读密集数据放HBF;更低速、更自制的数据继承放SSD或者其他存储。

假如这套分层建立,AI推理硬件的内存架构可能会多出一个新层级。

0四、范围化落地尚远,但年夜模子内存系统已经现分工新旌旗灯号

固然,HBF今朝还有不是一个成熟的产物。

据IEEE Spectrum报导,HBF至少还有需要一年才可能出货,间隔年夜范围部署可能还有要几年。

本年2月25日,SanDisk及SK海力士已经结合举办启动勾当,公布于开放计较项目OCP下鞭策HBF尺度化事情。

作为数据中央硬件范畴主要的开放财产构造,OCP主导制订了年夜量办事器、机柜、电源和加快器相干规范,如办事器规范DC-MHS、加快器规范OAI-OAM等。

但今朝,HBF尺度还有于推进中,正式发布时间还没有确定——这也象征着,HBF于短时间内还有不会立刻转变AI办事器市场。

它更像是一个提早浮出水面的旌旗灯号:AI推理正于逼着存储及内存系统从头分工。

已往,年夜模子硬件的存眷点集中于GPU、HBM及互联。

但当模子愈来愈年夜、推理哀求愈来愈多,瓶颈就会从“算患上快烦懑”,扩大到“装不装患上下”“读不读患上动”以和“电费扛不扛患上住”。

HBF切入的,恰是这个漏洞。

0五、AI内存战役,可能不只属在HBM

成心思的是,SK海力士自己就是HBM最 年夜赢家之一。

HBM正于给它带来创纪录收入,按理说,推出一种更自制的替换性技能,好像不太切合贸易直觉。

但从体系角度看,HBF其实不必然会抢HBM的饭碗。

AI办事器将来需要的不是单一内存,而是分层内存。

让HBM卖力*机能,HBF卖力年夜容量高带宽读取,SSD卖力更低成本的年夜范围存储。

这套组合假如跑通,反而会让AI推理体系变患上更可扩大。

简朴说就是:不是每一一份模子数据,都值患上住进HBM的“豪宅”。 有些数据,只需要一个容量够年夜、读取够快、成本更低的位置。

HBF想做的,就是这个位置。

从U盘、SD卡里的NAND Flash,到AI办事器里的高带宽模子权重池,听起来跨度很年夜,但年夜模子的问题已经经很清晰:参数愈来愈多,推理愈来愈贵,HBM愈来愈紧。

而解决方案,未必只来自更贵的内存,也可能来自把认识的老技能,从头封装一遍。

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